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分子束外延系統的特點
日期:2025-06-13 03:24
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摘要:
分子束外延系統是種物理沉積單晶薄膜方法。在超高真空腔內,源材料通過高溫蒸發、輝光放電離子化、氣體裂解,電子束加熱蒸發等方法,產生分子束流。入射分子束與襯底交換能量后,經表面吸附、遷移、成核、生長成膜。生長系統配有多種監控設備,可對生長過程中襯底溫度,生長速度,膜厚等進行瞬時測量分析。對表面凹凸、起伏、原子覆蓋度、黏附系數、蒸發系數及表面擴散距離等生長細節進行**監控。由于MBE 的生長環境潔凈、溫度低、具有準確的原位實時監測系統、晶體完整性好、組分與厚度均勻準確,是良好的光電薄膜,半導體薄膜生長工具。
分子束外延系統是一種新的晶體生長技術,簡記為MBE。其方法是將半導體襯底放置在超高真空腔體中,和將需要生長的單晶物質按元素的不同分別放在噴射爐中(也在腔體內)。由分別加熱到相應溫度的各元素噴射出的分子流能在上述襯底上生長出極薄的(可薄至單原子層水平)單晶體和幾種物質交替的超晶格結構。分子束外延主要研究的是不同結構或不同材料的晶體和超晶格的生長。該法生長溫度低,能嚴格控制外延層的層厚組分和摻雜濃度,但系統復雜,生長速度慢,生長面積也受到一定限制。