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分子束外延系統的使用特點介紹
日期：2025-06-16 03:12
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摘要：
分子束外延系統利用分子束外延不僅制取了雙質結激光器、三維介質集成光波導，還可以用此法使二種光波導重疊地生長在同一基片上，制成了從一個波導移向另一個波導的錐形輞合器，其耦合系數接近于100%。
MBE法與其他液相、氣相外延生長法相比較，其特點是，
①分子束外延生長是在超高真空下進行的，殘余氣體對膜的污染少，可保持極清潔的表面。
②生長溫度低，如生長GaAs只有500~600℃，Si只有500℃。
③生長速度慢，(1~10μm/h)。可生長超薄(幾個μm)而乎整的膜，膜層厚度、組分和雜質濃度均可進行**地控制。
④可獲得大面積的表面和界面有原子級平整度的外延生長膜。
⑤在同一系統中，可原位觀察單晶薄膜的生長過程，可以進行生長機制的研究。外延生長的缺點是時間長，大批量生產性差，對真空條件要求高。
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